| Поле | Инд. | ПП | Название | Значение |
|---|---|---|---|---|
| Тип записи | a | |||
| Библиографический уровень | b | |||
| 001 | Контрольный номер | DU/613061621 | ||
| 005 | Дата корректировки | 20200601191448.3 | ||
| 008 | Кодируемые данные | 20190605 | ||
| 040 | b | Код языка каталог. | rus | |
| e | Правила каталог. | PSBO | ||
| 041 | 0_ | a | Код языка текста | rus |
| 084 | a | Индекс другой классификации/Индекс ББК | 30.600.3 | |
| 100 | 1_ | a | Автор | Воропай А. Н. |
| q | Полное имя | Воропай Александр Николаевич | ||
| 100 | 1_ | a | Автор | Лянгузов Ю. М. |
| q | Полное имя | Лянгузов Юрий Максимович | ||
| 245 | 10 | a | Заглавие | Получение пленок моносульфида самария комбинированным методом |
| 504 | a | Библиография | Библиогр.: с. 7 | |
| 520 | 0_ | a | Аннотация | Рассматриваются результаты эксперимента по получению тонких пленок моносульфида самария методами вакуумного термического и термовзрывного испарения, объединенными в одном технологическом процессе (комбинированный метод напыления). В работе была проанализирвоана зависимость сопротивления пленок моносульфида самария от условий их формирования. На основании полученных данных оценено, что толщина лимитирующего слоя 30 - 60 нм. Также определено, что использование комбинированного метода напыления пленок моносульфида самария приводит к увеличению коэффициента тензочувствительности на 20 - 3- % |
| 650 | 14 | a | Основная рубрика | нанотехнологии |
| 653 | 1_ | a | Ключевые слова | моносульфид самария |
| a | Ключевые слова | полупроводниковые материалы | ||
| a | Ключевые слова | редкоземельные элементы | ||
| a | Ключевые слова | термическое испарение | ||
| a | Ключевые слова | тонкие пленки | ||
| 773 | 08 | t | Заглавие источника | Вестник Международного университета природы, общества и человека "Дубна" : Серия "Естественные и инженерные науки" |
| d | Дата издания источника | 2018 | ||
| g | Прочая информация | № 4 (41). - С. 3 - 7 : рис., схем. | ||
| w | Контрольный № источника | DU/606500946 | ||
| 901 | t | Тип документа | b |