Аннотация: Рассмотрены причины низкой стабильности свойств тонкопленочных резисторов, полученных методом испарения гетерогенных материалов. Одним из критериев стабильности тонких резистивных пленок можно считать гомогенность исходного материала. Выявлены закономерности изменения электрофизических свойств пленок в зависимости от эффективной концентрации носителей для твердых растворов типа Cr???Ta?Si?. Термодинамический анализ и результаты расчетов межатомного взаимодействия методом парных потенциалов позволяют прогнозировать особенности технологических способов получения тонких пленок на основе системы CrSi??TaSi?