Аннотация: Интерес к исследованию свойств наноструктур оксида цинка связан с возможностью применения его в различных областях науки и техники. Перспективы применения его в составе фотоэлектрических преобразователей связаны с большой шириной запрещенной зоны, что позволяет оксиду цинка пропускать видимое излучение. В данной работе исследуется влияние морфологии пленки оксида цинка на его оптические свойства, в частности, на ширину запрещенной зоны. Также в работе продемонстрировано, что покрытия, имеющие двойную структуру (например, в образце присутствуют и наностержни, и нанолепестки), имеют две полосы поглощения, и предложен способ разделения данных полос с определением ширины запрещенной зоны каждой структуры отдельно