Старосельский В. И. . Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники / Старосельский Виктор Игоревич; рецензенты Ю. М. Таиров, В. С. Першенков; предисловие Ю. А. Парменова. - Москва: Юрайт, 2019. - 463 с.: ил. - (Бакалавр. Академический курс). - Лит. - Прил.: с. 458. - ISBN 978-5-9916-0808-4.Гриф: УМО вузов РФ по образованию в области радиотехники, электроники, биомедицинской техники и автоматизации Отраслевые рубрики: микроэлектроника, радиотехника, радиоэлектроника, радиоэлектронная аппаратура (РЭА), физика, физика твердого тела, электроника Ключевые слова: p-n-переход, арсенид галлия, биполярные транзисторы, вебер-амперные характеристики (ВАХ), генерация носителей заряда, гетеропереходные транзисторы, гетеропереходы, Гуммеля-Пуна метод, Гуммеля-Пуна модель, диодная теория выпрямления, диффузионная теория выпрямления, дрейфовые планарные транзисторы, зенеровский пробой, зонная теория твердых тел, лавинный пробой, МДП транзисторы, металл-диэлектрик-полупроводник (МДП структура), металл-полупроводник (контакт), моделирование, носители заряда, омические контакты, полевые транзисторы, полевые транзисторы с затвором Шоттки (ПТШ), полупроводники, полупроводниковые диоды, полупроводниковые приборы, примесная электропроводность, пробой p-n-перехода, рекомбинация носителей заряда, сравнительный анализ, теория выпрямления, термоэлектронная эмиссия, транзисторы, управляющий p-n-переход, Шоттки барьер, Шоттки диоды, Эберса-Молла модель, Эрли эффект Условия доступа:
ЭБС ЮРАЙТ Доступ по логину и паролю. Доступ до 07.02.2024.
|