Библиотечная система
Библиотечная система. Международный университет природы, общества и человека "Дубна"
  Главная     Поиск       Новости     Консультация     Часы работы     О нас     О сайте     Блог Мишки Б.     Напишите нам  
Авторизация
№ карты:
Фамилия:
   Помощь
Помощь
Общая схема поиска литературы

Руководство по поиску в электронном каталоге

Правила использования информационных ресурсов
Электронный каталог
Расширенный поиск
Поиск по отраслевой классификации
Поиск по словарям
NEW!Новые поступления
Электронные версии
Журналы и газеты
 Подписка 2024
 Каталог периодики
 Заказ журналов
Рекомендуемая литература
Издания университета

Библиотека Чечельницкого А.М.
Библиотека Пономарёва В.С.
Редкий фонд
Выставки
Ресурсы интернета

Besucherzahler mail order brides
счетчик посещений

Библиографическое описание



Книга

Старосельский В. И. . Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники / Старосельский Виктор Игоревич; рецензенты Ю. М. Таиров, В. С. Першенков; предисловие Ю. А. Парменова. - Москва: Юрайт, 2019. - 463 с.: ил. - (Бакалавр. Академический курс). - Лит. - Прил.: с. 458. - ISBN 978-5-9916-0808-4.

Гриф: УМО вузов РФ по образованию в области радиотехники, электроники, биомедицинской техники и автоматизации

Отраслевые рубрики: микроэлектроника, радиотехника, радиоэлектроника, радиоэлектронная аппаратура (РЭА), физика, физика твердого тела, электроника

Ключевые слова: p-n-переход, арсенид галлия, биполярные транзисторы, вебер-амперные характеристики (ВАХ), генерация носителей заряда, гетеропереходные транзисторы, гетеропереходы, Гуммеля-Пуна метод, Гуммеля-Пуна модель, диодная теория выпрямления, диффузионная теория выпрямления, дрейфовые планарные транзисторы, зенеровский пробой, зонная теория твердых тел, лавинный пробой, МДП транзисторы, металл-диэлектрик-полупроводник (МДП структура), металл-полупроводник (контакт), моделирование, носители заряда, омические контакты, полевые транзисторы, полевые транзисторы с затвором Шоттки (ПТШ), полупроводники, полупроводниковые диоды, полупроводниковые приборы, примесная электропроводность, пробой p-n-перехода, рекомбинация носителей заряда, сравнительный анализ, теория выпрямления, термоэлектронная эмиссия, транзисторы, управляющий p-n-переход, Шоттки барьер, Шоттки диоды, Эберса-Молла модель, Эрли эффект

Условия доступа:

ЭБС ЮРАЙТ
Доступ по логину и паролю. Доступ до 07.02.2024.


отобрать
Доступ на внешнем ресурсе
ЭБС ЮРАЙТ


Другие издания

1. Старосельский В. И. . Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники / Старосельский Виктор Игоревич; рецензенты Ю. М. Таиров, В. С. Першенков; предисловие Ю. А. Парменова. - Москва: Юрайт, 2012. - 463 с.: ил. - (Основы наук). - Лит. - Прил.: с. 458. - ISBN 9785991608084. [подробнее]
отобрать


Назад